6月4日，NXP Semiconductors NV（恩智浦半导体）在官网披露，其与ZF Friedrichshafen AG（采埃孚）公司合作，为电动汽车（EV）开发基于碳化硅（SiC）的下一代牵引逆变器解决方案。通过利用恩智浦GD316x高压（HV）隔离栅极驱动器，该解决方案旨在加速800V平台和SiC功率器件的推广应用。据介绍，GD316x产品系列支持安全、高效和高性能的牵引逆变器，可延长电动汽车的续航里程、减少充电停车次数、同时降低OEM厂商的系统级成本。据了解，牵引逆变器是电动汽车电力传动系统的
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恩智浦 SiC 逆变器
● 意法半导体第三代SiC MOSFET助力吉利相关品牌纯电车型提高电驱能效● 双方成立创新联合实验室，共同推动节能智能化电动汽车发展服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)近日与全球汽车及新能源汽车龙头制造商吉利汽车集团(香港交易所代码: HK0175)宣布，双方签署碳化硅(SiC)器件长期供应协议，在原有合作基础上进一步加速碳化硅器件的合作。按照协议规定，意法半导体将为吉利汽车旗下多个品牌
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6月4日，意法半导体（ST）与吉利汽车集团宣布，双方签署碳化硅（SiC）器件长期供应协议，在原有合作基础上进一步加速碳化硅器件的合作。按照协议规定，意法半导体将为吉利汽车旗下多个品牌的中高端纯电动汽车提供SiC功率器件，帮助吉利提高电动车性能，加快充电速度，延长续航里程，深化新能源汽车转型。此外，吉利和ST还在多个汽车应用领域的长期合作基础上，建立创新联合实验室，交流与探索在汽车电子/电气（E/E）架构（如车载信息娱乐、智能座舱系统）、高级驾驶辅助（ADAS）和新能源汽车等相关领域的创新解决方案。据数据显
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ST 吉利汽车 SiC
服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体（简称ST）与全球汽车及新能源汽车龙头制造商吉利汽车集团宣布，双方签署碳化硅（SiC）器件长期供应协议，在原有合作基础上进一步加速碳化硅器件的合作。按照协议规定，意法半导体将为吉利汽车旗下多个品牌的中高端纯电动汽车提供SiC功率器件，帮助吉利提高电动车性能，加快充电速度，延长续航里程，深化新能源汽车转型。此外，吉利和ST还在多个汽车应用领域的长期合作基础上，建立创新联合实验室，交流与探索在汽车电子/电气（E/E）架构（如车载信息娱乐、智能座舱系统）、
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SiC ADAS 新能源汽车
能源是人类生存和发展的重要物质基础，能源转型则是当今国际社会关注的焦点问题，随着全球对环境保护意识的增强和能源危机的担忧，新能源市场的需求正在快速增长。 当前全球汽车产业电动化正在深度推进，在新能源革命浪潮下，新能源汽车产业成为各国重点发力方向。随着新能源汽车技术的日趋成熟，充电基础设施快速发展。近年来，我国已建成世界上数量最多、服务范围最广、品种类型最全的充电基础设施体系。目前按照1公桩=3个私桩的测算，中国2023年增量市场的纯电动车的车桩比已经1：1，领先世界其它国家数倍
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充电桩 新能源汽车 SIC
电动汽车 (EV) 市场的快速增长推动了对下一代功率半导体的需求，尤其是对碳化硅 (SiC) 半导体的需求尤为强劲。事实上，至少在本世纪下半叶之前，SiC功率器件可能会供不应求。而随着 SiC 衬底应用于 SiC 功率器件，衬底质量和制造技术方面取得了哪些进步，以提高器件性能、减少缺陷并增强可靠性？为了优化未来 SiC 功率器件的衬底特性，还需要哪些改进和发展？SiC的可靠性挑战SiC 是硅和碳的化合物，与硅相比有许多优点。SiC 芯片可以在更高温度下运行，并能有效处理更高电压，从而增强电动汽车的功率密度
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SiC 电动汽车 功率器件
第三代电力电子半导体SiC MOSFET：聚焦高效驱动方案相比传统的硅MOSFET，SiC
MOSFET可实现在高压下的高频开关。新能源、电动汽车、工业自动化等领域，SiC
MOSFET（碳化硅-金属氧化物半导体场效应晶体管）凭借高频、高功率、低损耗等卓越性能，SiC MOSFET驱动方案备受关注。然而，SiC
MOSFET的独特器件特性，也意味着它们对栅极驱动电路有特殊的要求。本文将围绕SiC MOSFET的驱动方案展开了解，其中包括驱动过电流、过电压保护以及如何为SiC MOSFET选择合
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第三代半导体 SiC MOSFET 高效驱动 电力电子
Nexperia近日宣布，公司现推出业界领先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7表面贴装器件(SMD)封装，有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供选择。这是继Nexperia于2023年底发布两款采用3引脚和4引脚TO-247封装的SiC MOSFET分立器件之后的又一新产品，它将使其SiC MOSFET产品组合迅速扩展到包括RDSon值为17、30、40、60和80 mΩ 且封装灵活的器件。随着NSF0xx120D7A0的发布，Nexperia正在满足市场对采用D2
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Nexperia SiC MOSFET D2PAK-7
Littelfuse公司是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司隆重宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。 这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率绝缘栅双极晶体管（IGBT）。IX4352NE的主要优势在于其独立的9A拉/灌电流输出，支持量身定制的导通和关断时序，同时将开关损耗降至最低。 内部负电荷调节器还能提供用户可选的负栅极驱动偏置，以实现更高的dV/dt抗扰度和更快的关断速度。 该驱动器
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SiC MOSFET IGBT 低侧栅极驱动器
SiC技术似乎已成为蔚来旗下新车型标配。蔚来在去年12月发布的行政旗舰车型ET9，搭载了蔚来自研自产的1200V SiC功率模块，以及面向900V的46105大圆柱电芯和电池包，单颗电芯能量密度高达292Wh/kg，充电效率达到5C，呈现出来的效果就是充电5分钟，续航255公里。近日，蔚来旗下又一款搭载SiC技术的车型正式发布，这便是其全新品牌乐道的首款车型L60。据悉，乐道全域采用900V高压架构，包括电驱系统、热泵空调、辅助加热器（PTC）、车载充电机（OBC）、直流电压变换器（DC-DC）均为900
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Sic 新能源汽车 蔚来
Source:Getty Images/Natee Meepian英飞凌科技在5月6日发布的一篇新闻稿中表示，将为小米最近发布的SU7电动汽车供应碳化硅（SiC）功率模块HybridPACK Drive G2 CoolSiC和裸片产品直至2027年。英飞凌CoolSiC功率模块支持更高的工作温度。例如，基于该技术的牵引逆变器可以进一步增加电动汽车的续航里程。英飞凌为小米SU7 Max车型提供两颗HybridPACK Drive G2 CoolSiC 1200 V模块。此外，英飞凌还为小米电动汽车供应了一系
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近日，河南中宜创芯发展有限公司（以下简称“中宜创芯”）SiC半导体粉体500吨生产线成功达产，产品纯度最高达到99.99999%，已在国内二十多家企业和研究机构开展试用和验证。资料显示，中宜创芯成立于2023年5月24日，由中国平煤神马控股集团和平顶山发展投资集团共同出资设立，总投资20亿元，分期建设年产2000吨碳化硅半导体粉体生产线。项目一期总投资6亿元，年产能500吨，占地12000平方米，2023年6月20日开工建设，9月20日项目建成并试生产，9月30日首批产品出炉。预计达产后年产值5亿元，据悉
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德国顶级芯片制造商热衷于挖掘中国对特种半导体的需求。
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TrendForce集邦咨询最新《2024全球SiC Power
Device市场分析报告》显示，尽管纯电动汽车（BEV）销量增速的明显放缓已经开始影响到SiC供应链，但作为未来电力电子技术的重要发展方向，SiC在汽车、可再生能源等功率密度和效率极其重要的应用市场中仍然呈现加速渗透之势，未来几年整体市场需求将维持增长态势，预估2028年全球SiC
Power Device市场规模有望达到91.7亿美金。Tesla和比亚迪是两个备受瞩目的BEV品牌，近期均报告了令人失望的销售数据，其中Tesla在1
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IGBT和碳化硅（SiC）模块的开关特性受到许多外部参数的影响，例如电压、电流、温度、栅极配置和杂散元件。本系列文章将重点讨论直流链路环路电感（DC−Link loop inductance）和栅极环路电感（Gate loop inductance）对VE‑Trac IGBT和EliteSiC Power功率模块开关特性的影响，本文为第一部分，将主要讨论直流链路环路电感影响分析。测试设置双脉冲测试
(Double Pulse Test ，DPT)
采用不同的设置来分析SiC和IGBT模块的开关特性
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杂散电感 SiC IGBT 开关特性
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